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        產品系統

        首頁-產品系統-輻射探測器-硅帶電粒子輻射探測器-用于研究應用的Si帶電粒子輻射探測器

        用于研究應用的Si帶電粒子輻射探測器

        產品型號:

        簡要描述:ORTEC提供各種耗盡厚度的硅面壘型探測器,可滿足眾多研究應用的需求

        • 廠家實力

          Manufacturer Strength
        • 有效保修

          Valid Warranty
        • 質量保障

          Quality Assurance

        詳細介紹

        ORTEC提供各種耗盡厚度的硅面壘型探測器,可滿足眾多研究應用的需求。

        *所有分辨率測量均在21±1°C下執行和保證。

        **用5.486-MeV天然α粒子測量。

        A 系列

        B 系列

        主要應用

        高分辨率帶電粒子光譜測量(核物理與放射化學 ,空間物理學)

        粒子識別、望遠鏡探測器(核物理與放射化學,空間物理學)

        探測器類型

        部分耗盡的硅面壘

        全耗盡的硅面壘

        初始材料

        Si

        Si

        有效面積范圍 (mm2)

        25-450

        50-450

        有效厚度范圍 (µm)

        1000-2000

        150-2000

        保證工作溫度范圍*

        +25°C
        30°C

        +25°C
        30°C

        二極管結構

        - N型硅鋁部分耗盡

        - N型硅鋁全耗盡

        標稱等效** 窗口的截止能量

        入口
        800 Å Si

        入口
        800 Å Si
        出口
        2250 Å Si



        C 系列

        D 系列

        主要應用

        從準直光源或光束的反向散射 - 角度相關測量(核物理)

        重離子的飛行時間測量(核物理)

        探測器類型

        環形部分耗盡的硅面壘

        平面全耗盡的硅面壘

        初始材料

        Si

        Si

        有效面積范圍 (mm2)

        50-450

        10-450

        有效厚度范圍 (µm)

        100-1000

        15-100

        保證工作溫度范圍*

        25°C
        30°C

        10°C
        25
        °C

        二極管結構

        - N型硅鋁部分耗盡

        - N型硅鋁全耗盡平面

        標稱等效** 窗口的截止能量

        入口
        800 Å Si
        出口
        2250 Å Si

        入口
        800 Å Si
        出口
        2250 Å Si



        F 系列

        R 系列

        主要應用

        重離子譜測量(核物理學)

        可在空氣和環境光下進行的帶電粒子譜測量

        探測器類型

        部分耗盡的硅面壘

        加固型部分耗盡硅

        初始材料

        Si

        Si

        有效面積范圍 (mm2)

        100-900

        50-2000

        有效厚度范圍 (µm)

        60

        100-500

        保證工作溫度范圍*

        +25°C
        30°C

        +25°C
        30°C

        二極管結構

        - N型硅鋁部分耗盡高場強

        - P型硅金部分耗盡

        標稱等效** 窗口的截止能量

        入口
        800 Å Si

        入口
        2300 Å Si


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